3月26日上午，由安徽省外國專家局主辦，合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)、中國科技大學(xué)微電子學(xué)院、安徽大學(xué)電子信息工程學(xué)院、合肥市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)承辦的施敏院士-海外名師大講堂在書法大廈隆重舉辦。省經(jīng)濟(jì)和信息化廳副廳長王厚亮出席了活動(dòng)。本次大講堂由合肥市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長陳軍寧主持。
施敏教授帶來了題為“浮柵存儲(chǔ)器：從概念到閃存到第四次工業(yè)革命的演變（The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution）”的學(xué)術(shù)報(bào)告。施敏教授回顧了他本人發(fā)明浮柵結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的具體過程，講述了浮柵存儲(chǔ)器的工作原理、優(yōu)點(diǎn)和隨后的發(fā)展歷程，詳細(xì)介紹了浮柵存儲(chǔ)器的廣泛的應(yīng)用和對(duì)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的深遠(yuǎn)影響，分析了浮柵存儲(chǔ)器在尺寸微縮過程中面臨的挑戰(zhàn)以及各類新型非易失存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)和前景。在互動(dòng)環(huán)節(jié)，施敏教授一一回答了參會(huì)代表提出的問題，并鼓勵(lì)正在或者即將投身半導(dǎo)體事業(yè)的有識(shí)之士努力奮斗，為中國集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)中國芯貢獻(xiàn)自己的力量！
來自協(xié)會(huì)會(huì)員單位晶合集成電路、宏晶微電子等企業(yè)組織研發(fā)人員、在職培訓(xùn)人員等參加了本次活動(dòng)，此外安徽大學(xué)、合肥學(xué)院的相關(guān)專業(yè)師生共計(jì)300余人參加了本次講座。
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施敏，1936年出生于南京，美籍華人�，F(xiàn)任中國工程院外籍院士、美國國家工程院院士、中國臺(tái)灣中央研究院院士、中國臺(tái)灣工業(yè)研究院院士、IEEE Life Fellow。1991年獲得IEEE電子器件最高榮譽(yù)獎(jiǎng)（Ebers獎(jiǎng)）；2017年與Gordon E Moore（摩爾定律之父）共同獲得IEEE Celebrated Member（尊榮會(huì)員）稱號(hào)，目前全球僅10位科學(xué)家獲此殊榮，包括1973年諾貝爾物理獎(jiǎng)得主Leo Esaki、2000年諾貝爾物理獎(jiǎng)得主Herbert Kroemer及2009年諾貝爾物理獎(jiǎng)得主George E. Smith。
施敏先生是國際著名的微電子科學(xué)技術(shù)與半導(dǎo)體器件專家和教育家，是非揮發(fā)MOS場效應(yīng)記憶晶體管（NVSM）的發(fā)明者，在金半接觸、微波器件及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)等領(lǐng)域作出了奠基性、前瞻性和開創(chuàng)性的貢獻(xiàn)（2017 IEDM Plenary Awards評(píng)）。施敏先生發(fā)明的非揮發(fā)MOS場效應(yīng)記憶晶體管（閃存）已成為當(dāng)今世界上集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品之一，是移動(dòng)電話、筆記本電腦、IC卡、數(shù)碼相機(jī)及便攜式電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，還促進(jìn)了人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器人和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器等技術(shù)的發(fā)展。因此項(xiàng)發(fā)明，他已多次獲得諾貝爾物理獎(jiǎng)提名。
施敏先生在微電子科學(xué)技術(shù)著作方面舉世聞名，所著的《半導(dǎo)體器件物理學(xué)》(Physics of Semiconductor Devices)是目前全世界所有工程及應(yīng)用科學(xué)領(lǐng)域最暢銷的教科書之一，曾被翻譯成六種語言，銷售超過600萬冊，引用次數(shù)達(dá)47500多次，有“半導(dǎo)體界的圣經(jīng)”之稱。
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